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IXFR58N20

IXFR58N20

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

IXFR58N20 データシート

compliant

IXFR58N20 価格と注文

単価 外貨価格
30 $11.41467 $342.4401
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 40mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 4mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ ISOPLUS247™
パッケージ/ケース TO-247-3
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