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IXTA06N120P

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IXYS

MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263

compliant

IXTA06N120P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.14000 $3.14
50 $2.52000 $126
100 $2.29600 $229.6
500 $1.85920 $929.6
1,000 $1.56800 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 600mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 32Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 270 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 42W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

NTMFS015N15MC
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APT31M100B2
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IRF1404LPBF
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SIE820DF-T1-GE3
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2N7002P,215
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$0 $/ピース
STS1NK60Z
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PSMN3R0-60PS,127
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$0 $/ピース
STD16N65M5
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SI7615DN-T1-GE3
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SIHF30N60E-GE3
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