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IXTA08N100D2-TRL

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IXTA08N100D2-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

compliant

IXTA08N100D2-TRL 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.60719 $1.60719
500 $1.5911181 $795.55905
1000 $1.5750462 $1575.0462
1500 $1.5589743 $2338.46145
2000 $1.5429024 $3085.8048
2500 $1.5268305 $3817.07625
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 800mA (Tj)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 0V
rds オン (最大) @ id、vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 25µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.6 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 325 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (D2Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IPB65R310CFDATMA2
RD3L150SNFRATL
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PSMN040-100MSEX
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TN2435N8-G
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$0 $/ピース
FQA90N15
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$0 $/ピース
DMPH2040UVTQ-7
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IXFK64N50P
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IRFR110TRPBF
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