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IXTA08N100D2HV

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IXTA08N100D2HV

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV

compliant

IXTA08N100D2HV 価格と注文

単価 外貨価格
50 $2.25000 $112.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 800mA (Tj)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 0V
rds オン (最大) @ id、vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 25µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.6 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 325 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263HV
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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NTK3134NT5G
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DMP3018SFV-13
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DMP3021SSS-13
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