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IXTA1N100P

IXTA1N100P

IXTA1N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 1A TO263

compliant

IXTA1N100P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.95000 $1.95
50 $1.57500 $78.75
100 $1.41750 $141.75
500 $1.10250 $551.25
1,000 $0.91350 -
2,500 $0.88200 -
65 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 15Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 331 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IAUA170N10S5N031AUMA1
IXKR40N60C
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$0 $/ピース
PMV27UPEAR
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$0 $/ピース
FQA16N50-F109
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$0 $/ピース
BSS670S2LH6327XTSA1
IPW60R031CFD7XKSA1
FQL40N50
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$0 $/ピース
STFU28N65M2
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$0 $/ピース
IAUC90N10S5N062ATMA1
APT51F50J
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$0 $/ピース

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