ichome.comへようこそ!

logo

IXTA1N120P-TRL

IXTA1N120P-TRL

IXTA1N120P-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 1A TO263

compliant

IXTA1N120P-TRL 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.25229 $3.25229
500 $3.2197671 $1609.88355
1000 $3.1872442 $3187.2442
1500 $3.1547213 $4732.08195
2000 $3.1221984 $6244.3968
2500 $3.0896755 $7724.18875
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17.6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 550 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 63W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (D2Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SIHP12N60E-BE3
SIHP12N60E-BE3
$0 $/ピース
SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V
$0 $/ピース
SIHB24N65EFT1-GE3
SIHB24N65EFT1-GE3
$0 $/ピース
MCQ05N15-TP
MCQ05N15-TP
$0 $/ピース
PSMNR60-25YLHX
PSMNR60-25YLHX
$0 $/ピース
HUFA75307D3ST
RF6C055BCTCR
RF6C055BCTCR
$0 $/ピース
2SK3004
2SK3004
$0 $/ピース
IPB65R095C7ATMA2
NTTFS5116PLTWG
NTTFS5116PLTWG
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。