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IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

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IXYS

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

SOT-23

非準拠

IXTA1N170DHV 価格と注文

単価 外貨価格
50 $11.45160 $572.58
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1700 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 16Ohm @ 500mA, 0V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 47 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3090 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 290W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263HV
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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PSMN012-25YLC,115
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