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IXTA1N80

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 750MA TO263

IXTA1N80 データシート

compliant

IXTA1N80 価格と注文

単価 外貨価格
50 $2.00000 $100
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 750mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 25µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 220 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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$0 $/ピース
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IRFB3507PBF
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IRF3711L
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IXTT75N20L2
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IPA057N08N3G
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IRFR3911TRPBF
IRFR3707PBF
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$0 $/ピース

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