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IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

IXTA1R4N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

compliant

IXTA1R4N100P 価格と注文

単価 外貨価格
50 $2.00000 $100
110 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 11Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 17.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 450 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 63W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SI7615CDN-T1-GE3
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$0 $/ピース
FDA2712
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$0 $/ピース
NTGS3447PT1G
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$0 $/ピース
SISA12ADN-T1-GE3
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$0 $/ピース
NTB6411ANT4G
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AOT20S60L
IPL60R650P6SATMA1
NTMYS4D6N04CLTWG
NTMYS4D6N04CLTWG
$0 $/ピース
BSO130P03SHXUMA1
TPH1110ENH,L1Q

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