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IXTA3N100D2-TRL

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

非準拠

IXTA3N100D2-TRL 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.63356 $3.63356
500 $3.5972244 $1798.6122
1000 $3.5608888 $3560.8888
1500 $3.5245532 $5286.8298
2000 $3.4882176 $6976.4352
2500 $3.451882 $8629.705
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tj)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 0V
rds オン (最大) @ id、vgs 6Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 37.5 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1020 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (D2Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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