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IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

SOT-23

非準拠

IXTA3N100D2HV 価格と注文

単価 外貨価格
50 $2.99260 $149.63
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tj)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 0V
rds オン (最大) @ id、vgs 6Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 37.5 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1020 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263HV
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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