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IXTA3N110

IXTA3N110

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IXYS

MOSFET N-CH 1100V 3A TO263

IXTA3N110 データシート

compliant

IXTA3N110 価格と注文

単価 外貨価格
50 $5.08500 $254.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1350 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IXFA16N60P3
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NVMJS0D9N04CTWG
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SIHB18N60E-GE3
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IPA50R950CE
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BUK6D30-40EX
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IXFP110N15T2
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SI7463ADP-T1-GE3
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