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IXTA4N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 4A TO263

compliant

IXTA4N65X2 価格と注文

単価 外貨価格
50 $1.65000 $82.5
35 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 455 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 80W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IXTH1N450HV
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