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IXTA4N80P

IXTA4N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263

IXTA4N80P データシート

compliant

IXTA4N80P 価格と注文

単価 外貨価格
50 $1.57500 $78.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5.5V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 750 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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PMXB120EPEZ
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