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IXTA5N50P

IXTA5N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263

IXTA5N50P データシート

compliant

IXTA5N50P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5.5V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12.6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 620 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 89W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

PMF250XNE115
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IRFS4615PBF
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SI7156DP-T1-E3
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R6025FNZ1C9
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SCT2160KEC
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NVMFS5C430NLT3G
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IPU075N03L G
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IRFR5505TRL
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IPD50R399CP
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