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IXTA60N10T

IXTA60N10T

IXTA60N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 60A TO263

非準拠

IXTA60N10T 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.92000 $1.92
50 $1.55000 $77.5
100 $1.39500 $139.5
500 $1.08500 $542.5
1,000 $0.89900 -
2,500 $0.86800 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2650 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 176W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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