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IXTA80N10T

IXTA80N10T

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 80A TO263

compliant

IXTA80N10T 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.88000 $2.88
50 $2.32500 $116.25
100 $2.09250 $209.25
500 $1.62750 $813.75
1,000 $1.34850 -
2,500 $1.30200 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 14mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3040 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 230W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AA
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

STB20NM60T4
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PSMN0R9-30YLDX
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R6520KNZ4C13
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SI7478DP-T1-E3
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RM1A5N30S3AE
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UF3C065030B3
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BUK9Y3R0-40E,115
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