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IXTA8N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 8A TO263

非準拠

IXTA8N65X2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.48000 $2.48
50 $2.00000 $100
100 $1.80000 $180
500 $1.40000 $700
1,000 $1.16000 -
2,500 $1.12000 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

PJF6NA40_T0_00001
STFI15N65M5
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SISS64DN-T1-GE3
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$0 $/ピース
DMN3025LSS-13
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DMT5015LFDF-13
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SIDR870ADP-T1-GE3
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SQS401EN-T1_BE3
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