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IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

IXYS

MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV

非準拠

IXTH1N200P3HV 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.33000 $6.33
30 $5.18667 $155.6001
120 $4.68050 $561.66
510 $3.92151 $1999.9701
1,020 $3.54200 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 2000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 646 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247HV
パッケージ/ケース TO-247-3 Variant
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関連部品番号

IMZ120R030M1HXKSA1
HUFA76633P3
IXTQ64N25P
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IXFK24N80P
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STP80NF06
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$0 $/ピース
APT5018SLLG/TR
BUK961R7-40E,118
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HUF76413D3
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RM002N30DF
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