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IXTH3N100P

IXTH3N100P

IXTH3N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 3A TO247

compliant

IXTH3N100P 価格と注文

単価 外貨価格
30 $3.55500 $106.65
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

SQM120N03-1M5L_GE3
TSM60NB190CI C0G
DMT6005LSS-13
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HUF75623P3
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SPB04N60C3E3045A
FDN352AP
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SQA411CEJW-T1_GE3
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$0 $/ピース
FDBL0260N100
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$0 $/ピース
RM120N30DF
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$0 $/ピース

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