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IXTH6N100D2

IXTH6N100D2

IXTH6N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

compliant

IXTH6N100D2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.30000 $6.3
30 $5.16600 $154.98
120 $4.66200 $559.44
510 $3.90600 $1992.06
1,020 $3.52800 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 2.2Ohm @ 3A, 0V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 95 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2650 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

CSD25484F4T
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MGSF3433VT1-ON
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STL42P6LLF6
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FCPF22N60NT
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IRFBF20SPBF
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STF14NM50N
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AO6403
SUM90330E-GE3
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NTMFS4935NT3G
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$0 $/ピース
IPS70R2K0CEAKMA1

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