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IXTN660N04T4

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IXYS

MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B

SOT-23

非準拠

IXTN660N04T4 価格と注文

単価 外貨価格
1 $21.12000 $21.12
10 $19.53600 $195.36
100 $16.68480 $1668.48
500 $14.78400 $7392
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 660A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.85mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 860 nC @ 10 V
vgs (最大) ±15V
入力容量(ciss)(最大)@vds 44000 pF @ 25 V
FET機能 Current Sensing
消費電力(最大) 1040W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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