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IXTP05N100M

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB

非準拠

IXTP05N100M 価格と注文

単価 外貨価格
50 $2.25000 $112.5
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 700mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 17Ohm @ 375mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 25µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 260 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 25W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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