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IXTP1R6N100D2

IXTP1R6N100D2

IXTP1R6N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

compliant

IXTP1R6N100D2 価格と注文

単価 外貨価格
50 $1.85000 $92.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 27 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 645 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

R6007JNXC7G
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CSD19531Q5AT
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SIHB22N60ET5-GE3
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ATP201-TL-H
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NDD60N745U1T4G
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IPN80R1K2P7ATMA1
IXFT50N50P3
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IRFHS9301TRPBF

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