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IXTP80N10T

IXTP80N10T

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

非準拠

IXTP80N10T 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.57000 $2.57
50 $2.07500 $103.75
100 $1.86750 $186.75
500 $1.45250 $726.25
1,000 $1.20350 -
2,500 $1.16200 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 14mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3040 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 230W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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