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IXTQ60N20L2

IXTQ60N20L2

IXTQ60N20L2

IXYS

MOSFET N-CH 200V 60A TO3P

非準拠

IXTQ60N20L2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $12.98000 $12.98
30 $10.91500 $327.45
120 $10.03000 $1203.6
510 $8.55500 $4363.05
1,020 $8.26000 -
7 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 45mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 255 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10500 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 540W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
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