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IXTT10N100D2

IXTT10N100D2

IXTT10N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

compliant

IXTT10N100D2 価格と注文

単価 外貨価格
30 $10.50800 $315.24
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.5Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 200 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5320 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 695W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-268AA
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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関連部品番号

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NVMFS5C680NLT1G
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SIHB15N50E-GE3
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IRF3710STRRPBF
RJK0390DPA-00#J53
AOT240L

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