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IXTT60N10

IXTT60N10

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 60A TO268

IXTT60N10 データシート

compliant

IXTT60N10 価格と注文

単価 外貨価格
30 $10.54500 $316.35
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 20mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-268AA
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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関連部品番号

AON6756
HAT2170H-EL-E
SI1054X-T1-E3
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$0 $/ピース
PHB129NQ04LT,118
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$0 $/ピース
IRFPS3810
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$0 $/ピース
NTP6448ANG
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$0 $/ピース
HAT2166HWS-E
NVTFS4824NTAG
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$0 $/ピース
SI1305EDL-T1-GE3
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$0 $/ピース
IPI075N15N3
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$0 $/ピース

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