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IXTT60N20L2

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 60A TO268

非準拠

IXTT60N20L2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $14.41000 $14.41
30 $12.11767 $363.5301
120 $11.13500 $1336.2
510 $9.49751 $4843.7301
1,020 $9.17000 -
5 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 45mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 255 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10500 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 540W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-268AA
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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関連部品番号

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2SK4066-1E
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NVMTS0D7N04CLTXG
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IXTA100N04T2
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