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IXTT8P50

IXTT8P50

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IXYS

MOSFET P-CH 500V 8A TO268

SOT-23

IXTT8P50 データシート

非準拠

IXTT8P50 価格と注文

単価 外貨価格
30 $5.96567 $178.9701
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3400 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 180W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-268AA
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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