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IXTU01N100

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251

非準拠

IXTU01N100 価格と注文

単価 外貨価格
70 $1.85000 $129.5
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 80Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 25µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.9 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 54 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 25W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251AA
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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