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IXTY3N50P

IXTY3N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 3.6A TO252AA

IXTY3N50P データシート

compliant

IXTY3N50P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5.5V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 409 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 70W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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NTDV18N06LT4G
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SIB419DK-T1-GE3
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