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IXTY3N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 3A TO252

IXTY3N60P データシート

compliant

IXTY3N60P 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5.5V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 411 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 70W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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