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IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 4A TO252

compliant

IXTY4N65X2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.86000 $1.86
70 $1.50000 $105
140 $1.35000 $189
560 $1.05000 $588
1,050 $0.87000 -
2,520 $0.84000 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 455 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 80W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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FDMS86300DC
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