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LS5912 SOIC 8L-B

LS5912 SOIC 8L-B

LS5912 SOIC 8L-B

WIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC

SOT-23

非準拠

LS5912 SOIC 8L-B 価格と注文

単価 外貨価格
1 $8.88000 $8.88
500 $8.7912 $4395.6
1000 $8.7024 $8702.4
1500 $8.6136 $12920.4
2000 $8.5248 $17049.6
2500 $8.436 $21090
19445 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel
電圧 - 破壊電圧 (v(br)gss) 25 V
ドレイン-ソース電圧 (vdss) -
電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0) 7 mA @ 10 V
消費電流(ID) - 最大 -
電圧 - カットオフ (vgs オフ) @ id 1 V @ 1 nA
入力容量(ciss)(最大)@vds 5pF @ 10V
抵抗 - rds(on) -
パワー - 最大 500 mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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