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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 電圧 - 破壊電圧 (v(br)gss) | 25 V |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 25 V |
| 電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0) | 2.6 mA @ 10 V |
| 消費電流（ID） - 最大 | 10 mA |
| 電圧 - カットオフ (vgs オフ) @ id | 150 mV @ 1 µA |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 105pF @ 10V |
| 抵抗 - rds(on) | - |
| パワー - 最大 | 400 mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92 |
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