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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | 4 N-Channel |
電圧 - 破壊電圧 (v(br)gss) | 20 V |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 20 V |
電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0) | 900 pA @ 20 V |
消費電流(ID) - 最大 | 50 mA |
電圧 - カットオフ (vgs オフ) @ id | - |
入力容量(ciss)(最大)@vds | - |
抵抗 - rds(on) | 70 Ohms |
パワー - 最大 | 500 mW |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
サプライヤーデバイスパッケージ | 16-DIP |
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