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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 5A (Ta) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 10V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 80mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 3.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 26 nC @ 10 V |
vgs (最大) | ±20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 1450 pF @ 20 V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | - |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOP |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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