ichome.comへようこそ!

logo

2N7008-G

2N7008-G

2N7008-G

MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3

2N7008-G データシート

非準拠

2N7008-G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.52000 $0.52
25 $0.43280 $10.82
100 $0.39140 $39.14
3159 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 230mA (Tj)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 50 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-92-3
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

FDS2170N7
FDS2170N7
$0 $/ピース
PMV30UN2VL
PMV30UN2VL
$0 $/ピース
MTW8N50E
MTW8N50E
$0 $/ピース
H5N2007LSTL-E
NTD95N02R-001
NTD95N02R-001
$0 $/ピース
XP233P1501TR-G
IXTT6N120
IXTT6N120
$0 $/ピース
FQPF9N90CT
FQPF9N90CT
$0 $/ピース
SISH402DN-T1-GE3
SISH402DN-T1-GE3
$0 $/ピース
IPP50R299CPXKSA1

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。