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APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

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MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

compliant

APTM100H35FTG 価格と注文

単価 外貨価格
100 $111.71600 $11171.6
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 4 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000V (1kV)
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22A
rds オン (最大) @ id、vgs 420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 2.5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 186nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5200pF @ 25V
パワー - 最大 390W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP4
サプライヤーデバイスパッケージ SP4
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