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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | Standard |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 100V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 495A |
rds オン (最大) @ id、vgs | 2.5mOhm @ 200A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 4V @ 10mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 1360nC @ 10V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 40000pF @ 25V |
パワー - 最大 | 1250W |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | SP6 |
サプライヤーデバイスパッケージ | SP6 |
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