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MQ2N5114UB/TR

MQ2N5114UB/TR

MQ2N5114UB/TR

JFET

非準拠

MQ2N5114UB/TR 価格と注文

単価 外貨価格
1 $82.17000 $82.17
500 $81.3483 $40674.15
1000 $80.5266 $80526.6
1500 $79.7049 $119557.35
2000 $78.8832 $157766.4
2500 $78.0615 $195153.75
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
電圧 - 破壊電圧 (v(br)gss) 30 V
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0) 30 mA @ 18 V
消費電流(ID) - 最大 -
電圧 - カットオフ (vgs オフ) @ id 5 V @ 1 nA
入力容量(ciss)(最大)@vds 25pF @ 15V
抵抗 - rds(on) 75 Ohms
パワー - 最大 500 mW
動作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 3-SMD, No Lead
サプライヤーデバイスパッケージ UB
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関連部品番号

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