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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Active |
FETタイプ | 4 N-Channel (Full Bridge) |
FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1200V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 79A |
rds オン (最大) @ id、vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
vgs(th) (最大) @ id | 2.8V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 232nC @ 20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 3020pF @ 1000V |
パワー - 最大 | 310W |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤーデバイスパッケージ | - |
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