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MSCSM120HM31CTBL2NG

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MSCSM120HM31CTBL2NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

非準拠

MSCSM120HM31CTBL2NG 価格と注文

単価 外貨価格
1 $313.41000 $313.41
500 $310.2759 $155137.95
1000 $307.1418 $307141.8
1500 $304.0077 $456011.55
2000 $300.8736 $601747.2
2500 $297.7395 $744348.75
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 4 N-Channel (Full Bridge)
FET機能 Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 79A
rds オン (最大) @ id、vgs 31mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 232nC @ 20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3020pF @ 1000V
パワー - 最大 310W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤーデバイスパッケージ -
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