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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | 4 N-Channel (Full Bridge) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1700V (1.7kV) |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 238A (Tc) |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 11.3mOhm @ 120A, 20V |
| vgs(th) (最大) @ id | 3.2V @ 10mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 712nC @ 20V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 13200pF @ 1000V |
| パワー - 最大 | 1.114kW (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | - |
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