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名前 | 価値 |
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製品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N Channel (Phase Leg) |
FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 700V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 124A (Tc) |
rds オン (最大) @ id、vgs | 19mOhm @ 40A, 20V |
vgs(th) (最大) @ id | 2.4V @ 4mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 215nC @ 20V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 4500pF @ 700V |
パワー - 最大 | 365W (Tc) |
動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤーデバイスパッケージ | SP1F |
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