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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | 4 N-Channel |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 700V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 241A (Tc) |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 9.5mOhm @ 80A, 20V |
| vgs(th) (最大) @ id | 2.4V @ 8mA (Typ) |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 430nC @ 20V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 9000pF @ 700V |
| パワー - 最大 | 690W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
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