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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | 4 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | Super Junction |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 900V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 30A |
rds オン (最大) @ id、vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
vgs(th) (最大) @ id | 3.5V @ 3mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 270nC @ 10V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | 6800pF @ 100V |
パワー - 最大 | 250W |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | SP2 |
サプライヤーデバイスパッケージ | SP2 |
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