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APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

非準拠

APTM120H57FT3G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
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2000 $0 $0
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 4 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 17A
rds オン (最大) @ id、vgs 684mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 2.5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 187nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5155pF @ 25V
パワー - 最大 390W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP3
サプライヤーデバイスパッケージ SP3
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関連部品番号

FDC6000NZ
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$0 $/ピース
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GWM160-0055P3
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MCH6606-TL-EX
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GWM120-0075P3-SL
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AOC2840
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