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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 50 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 270mA (Ta) |
| 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン） | 4.5V, 10V |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 7.5Ohm @ 100mA, 10V |
| vgs(th) (最大) @ id | 2.1V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 0.6 nC @ 10 V |
| vgs (最大) | +12V, -20V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 23.2 pF @ 25 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 420mW (Ta), 4.2W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DFN1110D-3 |
| パッケージ/ケース | 3-XDFN Exposed Pad |
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