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PHT6NQ10T,135

PHT6NQ10T,135

PHT6NQ10T,135

Nexperia USA Inc.

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

非準拠

PHT6NQ10T,135 価格と注文

単価 外貨価格
4,000 $0.33210 -
8,000 $0.31230 -
12,000 $0.30240 -
28,000 $0.29700 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 633 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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